一種鋁硅復合材料的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子元器件封裝外殼應用領域，尤其涉及微波組件、T/R組件等高端元器件封裝外科中。
【背景技術】
[0002]傳統的電子元器件封裝外殼制備所采用的材料有冷乳鋼、無氧銅以及鋁合金等金屬。這些傳統封裝材料因其材料本身的特點，應用領域皆有所限制。例如，冷乳鋼因其導熱系數偏小，達不到芯片高散熱的要求，因而只能應用于散熱要求不太高的場合；無氧銅導熱好，但因其密度大，膨脹系數大，不能大規模應用于航空航天器中以及對重量比較敏感的場合；鋁合金雖然密度小，因其膨脹系數太大，不能有效地與芯片匹配，因而不能用于高端芯片的直接封裝，需借助過渡材料或結構才能實現與芯片的匹配焊接，因而增加了器件的重量及成本，同時，降低了其器件整體的可靠性。
【發明內容】
[0003]為同時適應電子元器件封裝外殼對其制備材料的高熱導率、低膨脹系數和小密度等綜合性能的要求，本發明提供了一種鋁硅復合材料，可同時滿足高熱導率、低膨脹系數和小密度等材料屬性要求，其具體權利要求如下:
[0004]該鋁硅復合材料成分含量為:硅45 %，鋁54 %，鐵0.3 %，鎳0.04 %，鈦0.05 %，鎬0.02%，釩0.01%，其余為雜質；導熱系數為彡130W/m.K，熱膨脹系數為(11.0?13.5)*10-6，密度為 2.5±0.lg/cm3，抗拉強度彡 102MPa。
[0005]與傳統鋁合金相比，該鋁硅復合材料密度和導熱系數相仿，但其具有鋁合金無法比擬的的顯著優點，那就是膨脹系數小，僅為鋁合金的1/2左右(常規鋁合金膨脹系數約為23*10-6)。因此，該鋁硅復合材料可取代鋁合金，廣泛應用于芯片匹配焊接領域，而無需增加過渡材料或結構，極大的降低了成本和器件重量，同時提高了器件整體的可靠性。
【具體實施方式】
[0006]該鋁硅復合材料成分含量為:硅45 %，鋁54 %，鐵0.3 %，鎳0.04 %，鈦0.05 %，鎬0.02%，釩0.01%，其余為雜質；導熱系數為彡130W/m.K，熱膨脹系數為(11.0?
13.5)*10-6，密度為 2.5±0.lg/cm3，抗拉強度彡 102MPa。
【主權項】
1.該鋁硅復合材料成分含量為:硅45 %，鋁54 %，鐵0.3 %，鎳0.04 %，鈦0.05 %，鎬0.02%，釩0.01%，其余為雜質；導熱系數為彡130W/m.K，熱膨脹系數為(11.0?.13.5)*10-6，密度為 2.5±0.lg/cm3，抗拉強度彡 102MPa。
【專利摘要】一種鋁硅復合材料，具有導熱系數高、密度小和熱膨脹系數與芯片匹配等顯著優點，廣泛應用于高端電子元器件封裝外殼領域。該鋁硅復合材料的成分含量為：硅45％，鋁54％，鐵0.3％，鎳0.04％，鈦0.05％，鎬0.02％，釩0.01％，其余為雜質。該鋁硅復合材料的導熱系數為≥130W/m·K，熱膨脹系數為(11.0～13.5)*10-6，密度為2.5±0.1g/cm3，抗拉強度≥102MPa。
【IPC分類】C22C21/02
【公開號】CN105401010
【申請號】CN201510870604
【發明人】劉照萍
【申請人】重慶重通成飛新材料有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年12月2日