專利名稱：一種聚合物發光二極管的去邊方法
技術領域：
本發明涉及半導體發光器件技術，特別是涉及一種聚合物發光二極管(PLED) 的去邊制造技術。
背景技術：
有機半導體發光器件(OLED)由于具有，全視角、高效率、低功耗，成為 下一代顯示器的熱門侯選人。在有機發光器件中，聚合物發光二極管(PLED) 由于能夠簡易實現大面積制作，而成為熱門中的熱門。在PLED器件制作過程中， 旋涂法是實現大面積制作器件的主要方法，由于制作過程中采用旋涂方法，整個基 片表面將完全覆蓋上聚合物有機材料，為了能夠將金屬陰極和引線有效的連接，需 要將原先覆蓋在引線上的聚合物有機材料去除。
發明內容
針對上述現有技術中存在的缺陷，本發明所要解決的技術問題是提供一種能有 效去除覆蓋在引線上的聚合物有機材料的聚合物發光二極管的去邊方法。
為了解決上述技術問題，本發明所提供的一種聚合物發光二極管的去邊方法， 其特征在于，方法的步驟
1) 在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩；
2) 利用紫外光(UV)對聚合物有機材料(MEH — PPV， PEDOT等) 進行曝光，使材料發生分解；
3) 將經過曝光改性的聚合物材料，利用有機溶劑進行清洗，從而實現所需要 的圖形，將原先被有機聚合物層覆蓋的金屬引線曝露出來；
34)將金屬電極層經蒸鍍直接覆蓋在引線或覆蓋有PEDOT (聚乙撐二氧噻吩) 層的引線上。
本發明實施例所提供的另一種聚合物發光二極管的去邊方法，其特征在于，方
法的步驟
1) 在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩；
2) 利用紫外光(UV)對聚合物有機材料(MEH — PPV， PEDOT等)進 行曝光，使材料發生分解；
3) 在聚合物材料中摻雜光導材料，實現聚合物材料在絕緣體與導體之間的轉換；
4) 將金屬經蒸鍍直接覆蓋在改性后的聚合物材料層上。
利用本發明i^供的聚合物發光二極管的去邊方法，由于采用〈=365咖的紫外光， 對有機聚合物材料進行曝光，從而將原先的絕緣聚合物材料去除或改性變成導體材 料，然后將金屬直接覆蓋在金屬引線或改性聚合物有機材料層上，實現金屬層的簡 易蒸鍍工藝。
圖1 (a)和圖1 (b)是本發明實施例在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩 的結構示意圖1 (c)是本發明實施例基板經過紫外光(IJV)曝光的結構示意圖1 (d)和圖1 (e)是本發明實施例基板曝光之后將改性的聚合物材料通過有 機溶劑去除的結構示意圖l (f)是本發明實施例基板露出原先的金屬電極引線，最后蒸鍍上金屬覆蓋 在引線上的結構示意圖2 (a)和圖2 (b)是本發明實施例在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩
的結構示意圖；圖2 (c)是本發明實施例基板經過紫外光(UV)曝光的結構示意圖2 (d)是本發明實施例基板曝光之后將改性的聚合物材料通過有機溶劑去除 的結構示意圖2 (e)是本發明實施例基板露出原先的金屬電極引線以及PEDOT層，最后 蒸鍍上金屬覆蓋在PEDOT層上的結構示意.圖3 (a)和圖3 (b)是本發明實施例在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩 的結構示意圖3 (c)是本發明實施例基板經過紫外光(UV)曝光的結構示意圖； 圖3 (d)是本發明實施例基板曝光之后將聚合物材料改性，從絕緣體變為導體 的結構示意圖3 (e)是本發明實施例基板露出原先的金屬電極引線以及改性層，最后蒸鍍 上金屬覆蓋在改性層上的結構示意圖。
具體實施例方式
以下結合
對本發明的實施例作進一步詳細描述，但本實施例并不用于 限制本發明，凡是采用本發明的相似方法及其相似變化，均應列入本發明的保護范 圍。
本發明實施例的工作原理-
紫外光(<=365 nm) (UV)對有機聚合材料有很強的破壞作用，能夠將聚合 材料的一部分鍵碳氫打開，從而使材料分解。分解之后，材料原有的化學特性遭到 破壞，然后通過有機溶劑進行清洗，將經過曝光部分的材料清洗，從而實現所需要 的圖形，能夠將金屬直接覆蓋在引線上。此外在有機聚合物材料中摻入光導材料， 光導材料在曝光之后電導率能夠有效提高，從而將原先的絕緣材料層變成導體材料 層，將金屬直接覆蓋聚合物有機材料層上，實現陰極與引線的充分連接。
5如圖1 (a-f)所示，在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩(圖1 (a)和圖
1 (b))，然后經過紫外光(UV)曝光(圖l (c))，曝光之后將改性的聚合物材料通 過有機溶劑去除(圖1 (d)和圖1 (e))，露出原先的金屬電極引線，最后蒸鍍上金 屬覆蓋在引線上(圖1 (f))。
如圖2 (a-e)所示，在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩(圖2 (a)和圖
2 (b.))，然后經過紫外光(UV)曝光(圖2 (c))，曝光之后將改性的聚合物材料通 過有機溶劑去除(圖2 (d))，露出原先的金屬電極引線以及PEDOT層，最后蒸鍍 上金屬覆蓋在PEDOT層上(圖2 (e))。
如圖3 (a-f)所示，在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩(圖3 (a)和圖
3 (b))，然后經過紫外光(UV)曝光(圖3 (c)),曝光之后將聚合物材料改性，從 絕緣體變為導體(圖3 (d))，露出原先的金屬電極引線以及改性層，最后蒸鍍上金 屬覆蓋在改性層上(圖3 (e))。
圖1-圖3中IT0為(銦錫金屬氧化物)，Glass為(玻璃基板)。
權利要求
1、一種聚合物發光二極管的去邊方法，其特征在于，方法的步驟1)在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩；2)利用紫外光對聚合物有機材料進行曝光，使材料發生分解；3)將經過曝光改性的聚合物材料用有機溶劑進行清洗；4)將金屬電極層經蒸鍍直接覆蓋在金屬引線或覆蓋有PEDOT(聚乙撐二氧噻吩)層的金屬引線上。
2. —種聚合物發光二極管的去邊方法，其特征在于，方法的步驟1) 在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩；2) 利用紫外光對聚合物有機材料進行曝光，使材料發生分解；3) 在聚合物材料中摻雜光導材料，實現聚合物材料在絕緣體與導體之間的轉換；4) 將金屬經蒸鍍直接覆蓋在改性后的聚合物材料層上。
全文摘要
本發明公開一種聚合物發光二極管的去邊方法，涉及半導體發光器件技術領域；所要解決的是半導體發光器件制造中的去邊技術問題；該方法的步驟1)在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩，2)利用紫外光(UV)對聚合物有機材料(MEH-PPV，PEDOT等)進行曝光，使材料發生分解；3)將經過曝光改性的聚合物材料，利用有機溶劑進行清洗，清洗之后得到所需要的圖形，并將原先被覆蓋的金屬引線曝露出來；4)將金屬電極層經蒸鍍直接覆蓋在金屬引線或覆蓋有PEDOT層的金屬引線上。本發明的去邊方法具有能有效去除覆蓋在引線上的聚合物有機材料的特點。
文檔編號H01L51/56GK101483224SQ20081003254
公開日2009年7月15日 申請日期2008年1月11日 優先權日2008年1月11日
發明者峰 余, 暢 劉, 吳歡榮, 展 施 申請人:上海廣電電子股份有限公司