本實用新型涉及一種導線架預成形體，特別是涉及一種具改良式引腳的導線架預成形體。
背景技術：
四方扁平無外引腳(QFN，quad flat no-lead)封裝結構，因為沒有向外延伸的引腳，因此，可大幅減小封裝尺寸。然而，也因為沒有向外延伸的引腳，因此，當要將此封裝結構應用于后續焊接時，一般難以直接從外觀得知引腳與焊料的焊接狀況。
因此，為了便于以目視確認引腳與焊料的焊接質量，一般常見的方式是以兩次切割的方式讓引腳于側面呈一斷差結構，能易于得知引腳與焊料的接合狀況，詳細地說，美國第2016/0148877A1早期公開號專利案(下稱前案)揭示一種四方無引腳封裝結構，主要是通過兩個不同寬度的切割刀對引腳進行兩次切割。首先，以一較寬的切割刀切割各引腳12的上部分而形成一凹槽13，接著，于各引腳12與各凹槽13上形成一層電鍍層14，最后，以另一較窄的切割刀將各引腳12切斷，使各引腳12的側面成一斷差結構。
然而，前述切割步驟是于晶片封裝完成后才進行，換句話說，當后續封裝廠在使用如前案的導線架時，會因為前案的導線架的各引腳12沒有先經過結構的設計改良或預先處理，使得封裝廠需要進行繁復且耗成本的兩次切割，才能將各引腳12的側面形成斷差結構。
因此，通過先行改良導線架的各引腳的結構，以讓后續封裝廠能以單次切割便能得到具有斷差結構引腳的導線架，是此技術領域的相關人員所待解決的課題。
技術實現要素：
本實用新型的目的在于提供一種具改良式引腳的導線架預成形體。
本實用新型具改良式引腳的導線架預成形體包含多個彼此電性獨立且成陣列排列的導線架單元。該每一個導線架單元包括一成型膠層、一晶片座、一切割層，及多條引腳。
該成型膠層由絕緣高分子材料構成并具有一中心區。
該晶片座由金屬材料構成并位于該中心區內，并具有彼此反向的一頂面及一底面，且該頂面及該底面分別自該成型膠層反向的兩個表面裸露。
該切割層環圍該中心區，并包括一切割道及多個第一切割部，該切割道具有彼此反向的一頂面及一底面，且該切割道的該頂面及該底面與該晶片座的該頂面及該底面同向，所述第一切割部彼此間隔地形成于該切割道的該頂面上并與該成型膠層相連。
所述引腳由與該晶片座相同的金屬材料構成，彼此各自獨立地自該切割道的頂面朝該晶片座延伸，并與該晶片座呈一間距，且該每一條引腳于鄰近該切割道的一表面具有一凹槽，且所述凹槽不與所述第一切割部相連。
本實用新型所述具改良式引腳的導線架預成形體，該切割道的該頂面低于該晶片座的該頂面，該切割道是由與該晶片座相同的金屬材料構成，所述第一切割部是由與該成型膠層相同的絕緣高分子材料構成，且相鄰的該導線架單元的所述引腳之間沒有形成所述第一切割部。
在一實施例中，本實用新型所述具改良式引腳的導線架預成形體，該切割層還具有多個位于相鄰的該導線架單元的所述引腳間的第二切割部，且所述第二切割部與所述第一切割部相連。
本實用新型所述具改良式引腳的導線架預成形體，該每一個導線架單元還包括一第一導電層與一第二導電層，該第一導電層形成于該晶片座的該頂面、所述引腳的一頂面、該凹槽的表面與該切割道的該頂面，該第二導電層形成于該晶片座的該底面、所述引腳的一底面與該切割道的該底面。
本實用新型的有益的效果在于：在每一條引腳鄰近該切割道的該表面形成該凹槽，以令后續封裝結構以所述引腳對外進行表面黏著(surface mount)于一電路板時，能讓焊料緊密接合于每一條引腳的該凹槽，提高封裝結構與電路板的接著強度，增加封裝的可靠性。
附圖說明
圖1是一側視流程示意圖，說明現有QFN封裝結構；
圖2是一俯視示意圖，說明本實用新型具改良式引腳的導線架預成形體的一第一實施例；
圖3是一沿圖2的剖切線III-III的側視示意圖，輔助說明該第一實施例；
圖4是一不完整局部剖視圖，輔助說明該第一實施例的各引腳的一凹槽；
圖5是一側視示意圖，說明一導線架封裝結構設置于一電路板；
圖6是一俯視示意圖，說明本實用新型具改良式引腳的導線架預成形體的一第二實施例；
圖7是一沿圖6的剖切線VII-VII的側視示意圖，輔助說明該第二實施例；
圖8是一不完整局部剖視圖，輔助說明該第二實施例的一切割部與各引腳的一凹槽；
圖9是一制作流程示意圖，說明該第一實施例的制作流程；
圖10是一制作流程示意圖，接續圖9說明該第一實施例的制作流程；及
圖11是一制作流程示意圖，接續圖10說明該第一實施例的制作流程。
具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本實用新型進行詳細說明。
參閱圖2至圖4，圖2是本實用新型具改良式引腳的導線架預成形體200A的一第一實施例俯視示意圖，圖3是沿圖2中的III-III剖切線的剖視圖，圖4是圖2的不完整的局部剖視圖。
具改良式引腳的導線架預成形體200A包含多個彼此電性獨立且成陣列排列的導線架單元20A，且該每一個導線架單元20A包括一成型膠層21、一晶片座22、一切割層23、多條引腳24、一第一導電層25，及一第二導電層26。
該成型膠層21由絕緣高分子材料構成，并具有一中心區211。
該晶片座22由金屬材料構成并位于該中心區211內。該晶片座22具有彼此反向的一頂面221及一底面222，且該頂面221及該底面222分別自該成型膠層21反向的兩個表面裸露。
該切割層23環圍該中心區211，并包括一切割道230及多個第一切割部233，該切割道230由與該晶片座22相同的金屬材料構成，并具有彼此反向的一頂面231及一底面232，其中，該切割道230的該頂面231及該底面232與該晶片座22的該頂面221及該底面222同向，且該切割道230的該頂面231低于該晶片座22的該頂面221。所述第一切割部233是由與該成型膠層21相同的絕緣高分子材料構成，且彼此間隔地形成于該切割道230的該頂面231上并與該成型膠層21相連。
所述引腳24由與該晶片座22相同的金屬材料構成，彼此各自獨立地自該切割道230的頂面231朝該晶片座22延伸，并與該晶片座22呈一間距，該每一條引腳24于鄰近該切割道230的一表面241具有一凹槽242，所述凹槽242不與所述第一切割部233相連，且相鄰的該導線架單元20A的所述引腳24之間沒有形成所述第一切割部233。具體地說，該每一條引腳24具有相反的一頂面243與一底面244，該每一條引腳24是由該切割道230的該頂面231向上地朝該晶片座22延伸，從而使該每一條引腳24的該頂面243與該晶片座22的該頂面221齊平。
該第一導電層25形成于該晶片座22的該頂面221、所述引腳24的該頂面243、該凹槽242的表面與該切割道230的該頂面231，而該第二導電層26形成于該晶片座22的該底面222、所述引腳24的該底面244與該切割道230的該底面232。
參閱圖5，當該第一實例的該每一個導線架單元20A欲應用于后續封裝而成為一導線架封裝結構2A時，會將一晶片3形成于該第二導電層26上，且該晶片3會通過多條導線4與所述引腳24電連接。
詳細地說，切割后的每一個該導線架封裝結構2A通過所述引腳24進行表面黏著于一電路板100時，能透過每一條引腳24的該凹槽242，增加所述引腳24與焊料5的接觸面積，以讓焊料5緊密接合于該凹槽242上，進而提高導線架封裝結構2A接著于電路板100上的強度，而增加封裝的可靠性。
參閱圖6至圖8，圖6是本實用新型具改良式引腳的導線架預成形體200A的一第二實施例俯視示意圖，圖7是沿圖6中的VII-VII剖切線的剖視圖，圖8是圖6的不完整的局部剖視圖。該第二實施例的結構大致相同于該第一實施例，其不同處在于，該切割層23還具有多個形成于該切割道230上而位于相鄰的該導線架單元20A的所述引腳24間的第二切割部234，且所述第二切割部234也是由與該成型膠層21相同的絕緣高分子材料構成，并與所述第一切割部233相連。
值得一提的是，由于該第一實施例與該第二實施例的所述第一切割部233與所述第二切割部234都是由絕緣高分子材料所構成，因此，透過將該第一切割部233與所述第二切割部234形成于切割道230上，能讓切割位置是絕緣高分子材料，當要將該導線架封裝結構2A進行切割時，可通過切割高分子材料而減少切割刀具的損耗。
為了更清楚的說明具改良式引腳的導線架預成形體200A，茲將以前述該導線架預成形體200A的該第一實施例的制作方法為例簡單說明如下：
配合參閱圖9至圖11，先提供一可導電的材料，例如銅合金或鐵鎳合金等材料構成的基片100。定義多條縱向及橫向排列且彼此成角度的第一分隔島101與第二分隔島102，且兩兩相鄰且彼此成角度的橫向及縱向排列的第一分隔島101與第二分隔島102共同定義出后續經蝕刻移除后預形成的多個空間。
進行第一次蝕刻，首先將該基片100不必要的上部分蝕刻移除，而灌入一成型膠。詳細地說，將經第一次蝕刻的該基片100夾設于一模具(圖未示)中，用模注方式灌入該成型膠，其中，該成型膠為選自一般絕緣封裝材料，如環氧樹脂等，讓該成型膠填滿經蝕刻的上部。再進行第二次蝕刻，而將該基片100不必要的下部份蝕刻移除，并再次以前述方式灌入成型膠，以令第一次與第二次灌入的該成型膠固化形成該成型膠層21，使該基片100形成一個導線架預成形體半成品201A。該導線架預成形體半成品201A包括多個導線架單元20A，及多條連接相鄰導線架單元20A的連接部300。
該每一個導線架單元20A具有一個晶片座22、多條自所述連接部300朝向該晶片座22延伸并與該晶片座22呈一間距的引腳24。
參閱圖11，圖11(a)為圖10所示的該導線架預成形體半成品201A沿XI-XI剖切線的剖視示意圖。
接著，進行第三次蝕刻，先在該導線架預成形體半成品201A上形成一光阻層6而讓該連接部300露出，而將所述連接部300的一上部蝕刻移除，使該連接部300剩余一下部而構成連接所述引腳24的一切割道230，且在移除該連接部300的該上部時，一并蝕刻各引腳24鄰近該切割道230的一表面241，以于各引腳24上形成一凹槽242。
最后，以電鍍方式將一第一導電層25形成于該晶片座22的頂面221、所述引腳24的頂面243、該凹槽242的表面與該切割道230的頂面231，及將一第二導電層26形成于該晶片座22的底面222、所述引腳24的底面244與該切割道230的底面232，便可得到如圖11(d)所示的具改良式引腳的導線架預成形體200A的該第一實施例。
綜上所述，在每一條引腳24鄰近該切割道230的該表面241形成該凹槽242，以增加所述引腳24的接觸面積，使該導線架封裝結構2A透過所述引腳24電連接于電路板100時，能讓焊料5進一步地接合在所述引腳24的該凹槽242，而提高導線架封裝結構2A與電路板100整體的接著強度，增加封裝的可靠性，因此，確實能達成本實用新型的目的。